1. 半導體激光器原理—簡介

半導體激光器是指以半導體材料為工作物質的激光器，又稱半導體激光二極管(LD)，

是20世紀60年代發展起來的一種激光器。半導體激光器具有體積小，重量輕，運轉可靠，耗電少，效率高等有點，廣泛應用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器(激光筆)，軍事領域，如激光制導跟蹤、激光雷達、激光引信、光測距、激光通信電源、激光模擬wu器等。

2. 半導體激光器原理—基本結構

半導體激光器一種在電流注入下能夠發出相干輻射光(相位相同、波長基本相同、強度較大)的光電子器件，其結構如下圖所示。外形及大小與小功率半導體三極管差不多，僅在外殼上多一個激光輸出窗口。夾著結區的P區與N區做成層狀，結區厚為幾十微米，面積約小于1mm2。

3. 半導體激光器原理—產生原理

半導體激光器是一種相干輻射光源，主要是依靠注入載流子工作的，要使它能產生激光，必須具備三個基本條件：

1) 通過高濃度參雜PN結的正向注入形成載流子分布發轉，使受激輻射占優勢，即高能態粒子數足夠的大于處于低能態的粒子數;

2) 有一個合適的諧振腔能夠起到反饋作用，使受激輻射光子增生，從而產生激光震蕩;

3) 正向電流密度達到或者超過閥值，即增益至少等于損耗，以使光子增益等于或大于光子的損耗。

簡單來講，工作三要素：受激光輻射、諧振腔、增益大于等于損耗。

4. 半導體激光器原理—工作原理

半導體激光器工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間，或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用，產生激光。半導體激光器產生激勵的方式主要有以下三種，即電注入式、光泵式和高能電子束激勵式：

1) 電注入式半導體激光器一般是由GaAS(砷化鎵)、InAS(砷化銦)、Insb(銻化銦)等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。

2) 光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶(GaAS、InAs、InSb等)作為工作物質，以其它激光器發出的激光作光泵激勵。

3) 高能電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶(PbS、CdS、ZhO等)作為工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。