1）用某種離子在固定電壓下去轟擊不同的靶材，s會隨元素周期表的族而變化。反之，靶材種類確定，用不同種類的離子去轟擊靶材，s也隨元素周期表的族作周期性變化。

2）S隨入射離子的能量（即加速電壓V）的增加而單調地增加。不過，V有臨界值（一般為10V）。在10V以下時，S為零。當電壓≥10KV時，由于入射離子會打入靶中，S反而減少了。

3）對于單晶靶，s的大小隨晶面的方向而變化。因此，被濺射的原子飛出的方向是不遵守余弦定律的，而有沿著晶體的最稠密面的傾向。

4）對于多晶靶，離子從斜的方向轟擊表面時，S增大。由濺射飛出的原子方向多和離子的正相反方向相一致。

5）被濺射下來的原子所具有的能量比由真空蒸發飛出的原子所具有的能量（~0.1eV）大1~2個數量級。

混入薄膜中的氣體分子：用濺射法制作的Ni薄膜時，當濺射電壓在100V以下時，Ar幾乎沒有混入。可是，一到100V以上，薄膜中的Ar原子數急劇增加。